Фотоэлектрический датчик Heschen E3S-GS50E4 NPN (нормально разомкнутый), 10-30 В, 3 провода, рассеянный тип, дальность обнаружения

Характерные параметры:

• Время реакции носа: 30 мс
• Источник света: инфракрасный свет с длиной волны 660 нм.
• Допускаются импульсы и вибрации: B<30 g, T<11 ms, f<55 Hz, a<1 mm
• Сопротивление изоляции: более 50 мОм между зарядным устройством и корпусом.
• Выдерживаемое напряжение: переменный ток 1000 В, 50/60 Гц, 1 мин между зарядным устройством и корпусом.
• Степень защиты: IP65
• Материал: Корпус: никелированная латунь (ABS) Обнаруживаемая поверхность (линза): ПММА