IRF640 IRF640N MOSFET транзистор 18A 200V IRF640NPBF N-канальный силовой MOSFET TO-220AB 3-контактный с винтовым креплением и сили

Описание продукта
Транзистор — это прецизионный электронный компонент с высоким входным сопротивлением, низким уровнем шума, низким энергопотреблением и широким динамическим диапазоном. Это полупроводниковый прибор, широко используемый в электронных схемах. Как правило, он применяется в электронных переключателях, управляемых плавниках акул и других областях.

Технические характеристики:
Сопротивление в открытом состоянии Rds(on): 0,15 Ом
Измеряемое напряжение Rds: 10 В
Высокое напряжение Vgs: 4 В
Тип корпуса: TO-220AB
Количество контактов: 3
Тепловое сопротивление соединения с корпусом A: 1°C/Вт
Измеренное напряжение Vgs на резисторе Rds: 10 В.
Типичное напряжение Vds: 200 В
Текущий непрерывный идентификатор: 18A
Текущий импульс Idm: 72 А
Устройство поверхностного монтажа: сквозной монтаж.
Напряжение в герметичном состоянии, Vgs/th. Типичное значение: 4 В.
Максимальное импульсное напряжение, Vgs: 4 В.

В комплект входит:
20 транзисторов IRF640
20 радиаторов
20 x винтовых моек
20 х силиконовой резины.
1 отвертка