6 шт. MOSFET-транзисторов 200 В 50 А, силовые N-канальные транзисторы TO-247 для самостоятельной сборки электронных схем.

Характеристики продукта:
1. Силовые MOSFET-транзисторы третьего поколения предоставляют разработчику наилучшее сочетание быстрого переключения, прочной конструкции, низкой ударопрочности и экономичности.
2. Корпус TO-247 предпочтителен для коммерческих применений, где более высокие уровни мощности исключают использование устройств в корпусе TO-220. Корпус TO-247 похож на более ранний корпус TO-218, но превосходит его благодаря изолированному монтажному отверстию.
3. Кроме того, это обеспечивает большее расстояние между штифтами для соответствия самым строгим требованиям безопасности.

Характеристики продукта:
Сопротивление в текущем состоянии (Rds): 0,04 Ом
Высоковольтный VGS: положительный и отрицательный 20 В
Количество скоб: 3
Рабочая температура: от -55°C до +175°C.
Термостойкость корпуса A: 2,0 °C/Вт
Типичное напряжение Vds: 200 В
Текущий непрерывный идентификатор: 50 A
Импульсный ток Idm: 200 А
Устройство для поверхностного монтажа через отверстия

Содержимое упаковки:
6 транзисторов регулятора IRFP260